【主权项】：

一种半导体器件，其具备沟槽栅双极晶体管，其特征在于，具备：第一导电型的半导体衬底，其具有第一表面；第一区域及第二区域，其以彼此相邻的方式规定于所述半导体衬底上；栅电极，其隔着第一绝缘膜形成于从位于所述第一区域的所述半导体衬底的所述第一表面到达第一深度的第一沟槽内；发射极电极，其以隔着位于所述第一区域的所述半导体衬底的区域的形态与所述栅电极隔开距离，隔着第二绝缘膜形成于从所述第一表面到达所述第一深度的第二沟槽内；第一导电型的源极区域，其形成于从位于所述栅电极和所述发射极电极之间的所述第一区域的所述半导体衬底的所述第一表面到比所述第一深度浅的第二深度内；第二导电型的基极区域，其形成于从位于所述栅电极和所述发射极电极之间的所述第一区域的所述半导体衬底所述第二深度到比所述第二深度深且比所述第一深度浅的位置；第二导电型的浮置区域，其形成于从位于所述第二区域的所述半导体衬底的所述第一表面到比所述第一深度深的位置；以及接触部，其与所述发射极电极、所述源极区域及所述基极区域电连接，所述接触部以跨过所述发射极电极和所述基极区域的形态形成，所述接触部的接触底部以与所述发射极电极接触的所述接触底部的第一部分位于比与所述基极区域接触的所述接触底部的第二部分深的位置的形态倾斜。