【主权项】：

1.一种蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域，该蚀刻方法的特征在于：所述被处理体包括：形成有凹部的所述第二区域；以填埋该凹部并且覆盖所述第二区域的方式设置的所述第一区域；和设置于所述第一区域上的掩模，该掩模在所述凹部之上具有宽度比该凹部的宽度宽的开口，所述蚀刻方法包括：第一步骤，在收纳有所述被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在所述被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于所述堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻所述第一区域，反复执行包含所述第一步骤和所述第二步骤的流程。