[发明专利]制造磁阻随机存取存储器件的方法有效
| 申请号： | 201811092070.9 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109524542B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 赵汉娜;尹惠智;权五益 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造MRAM器件的方法包括：形成第一绝缘夹层和下电极接触，下电极接触延伸穿过第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层和下电极接触上形成下电极层、磁隧道结层、上电极层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模；蚀刻第一硬掩模层和上电极层以形成第一硬掩模和上电极；在上电极的侧壁以及第一硬掩模和第二硬掩模的侧壁上形成间隔物；以及蚀刻磁隧道结层和下电极层，以在下电极接触上形成包括下电极和磁隧道结图案的结构，其中，在蚀刻磁隧道结层和下电极层之后，一层留在上电极上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 磁阻 随机存取存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁阻随机存取存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层和下电极接触，使得所述下电极接触延伸穿过所述第一绝缘夹层；在所述第一绝缘夹层和所述下电极接触上顺序地形成下电极层、磁隧道结层、上电极层和第一硬掩模层；在所述第一硬掩模层上形成第二硬掩模；使用所述第二硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻所述第一硬掩模层和所述上电极层，以分别形成第一硬掩模和上电极；在所述上电极的侧壁、所述第一硬掩模的侧壁和所述第二硬掩模的侧壁上形成间隔物；以及使用所述第一硬掩模、所述第二硬掩模和所述间隔物作为蚀刻掩模蚀刻所述磁隧道结层和所述下电极层，以在所述下电极接触上形成包括下电极和磁隧道结图案的结构，其中，在蚀刻所述磁隧道结层和所述下电极层之后，至少一个层留在所述上电极上。
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