[发明专利]固态摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201880021143.7 | 申请日: | 2018-03-23 |
公开(公告)号: | CN110574164B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 庄子礼二郎;羽根田雅希;堀越浩;石田実;亀嶋隆季;三桥生枝;桥口日出登;饭岛匡 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L25/07;H01L21/768;H01L25/18;H04N25/70;H01L25/065;H01L21/02;H01L21/3205;H01L23/522 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 瓮芳;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | [问题]为了进一步增强固态摄像装置的性能。[解决方案]本发明提供了一种固态摄像装置,所述固态摄像装置通过按照以下顺序层叠第一基板、第二基板和第三基板而构成,所述第一基板具有第一半导体基板和层叠在所述第一半导体基板上的第一多层布线层,所述第一半导体基板上形成有像素单元,所述像素单元上布置有像素,所述第二基板具有第二半导体基板和堆叠在所述第二半导体基板上的第二多层布线层,所述第二半导体基板上形成有具有预定功能的电路,所述第三基板具有第三半导体基板和堆叠在所述第三半导体基板上的第三多层布线层,所述第三半导体基板上形成有具有预定功能的电路,其中,所述第一基板和所述第二基板以所述第一多层布线层和所述第二多层布线层彼此相对的方式键合在一起,用于将所述第一基板和所述第二基板彼此电气接合的第一接合结构存在于所述第一基板和所述第二基板的键合表面上,并且所述第一接合结构包括电极连接结构,在所述电极连接结构中,形成在各个所述键合表面上的电极以彼此直接接触的方式彼此连接。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态摄像装置,其包括:/n第一基板,所述第一基板包括第一半导体基板和堆叠在所述第一半导体基板上的第一多层布线层,所述第一半导体基板上形成有像素单元,所述像素单元上布置有像素;/n第二基板,所述第二基板包括第二半导体基板和堆叠在所述第二半导体基板上的第二多层布线层,所述第二半导体基板上形成有具有预定功能的电路;以及/n第三基板,所述第三基板包括第三半导体基板和堆叠在所述第三半导体基板上的第三多层布线层,所述第三半导体基板上形成有具有预定功能的电路,/n所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板按照这种顺序堆叠,/n所述第一基板和所述第二基板以所述第一多层布线层和所述第二多层布线层彼此相对的方式键合在一起,/n用于将所述第一基板和所述第二基板彼此电气接合的第一接合结构存在于所述第一基板和所述第二基板的键合表面上,并且所述第一接合结构包括电极连接结构,在所述电极连接结构中,形成在各个所述键合表面上的电极以彼此直接接触的方式彼此连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的