[发明专利]摄像元件和摄像装置有效
申请号: | 201880033116.1 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN110637370B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 关勇一;大塚洋一 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B5/20;H04N25/70;H04N23/12 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的目的是防止摄像元件的图像质量下降,在该摄像元件中,具有颜色滤光片的像素呈二维布置着。该摄像元件设置有多个像素且设置有入射光衰减部。各像素设置有:颜色滤光片,其能让入射光中的预定波长的光透过;以及光电转换部,其产生与已经透过所述颜色滤光片的光对应的电荷。所述入射光衰减部设置在相邻像素的所述颜色滤光片之间,并被构造成具有与所述颜色滤光片的表面高度不同的表面高度。所述入射光衰减部使未透过所述颜色滤光片而向设置有该颜色滤光片的像素中的所述光电转换部上入射的光衰减。 | ||
搜索关键词: | 摄像 元件 装置 | ||
【主权项】:
1.一种摄像元件,包括:/n多个像素,各像素包括:颜色滤光片,其让入射光中的具有预定波长的光透过;和光电转换部,其产生与已经透过所述颜色滤光片的光对应的电荷;以及/n入射光衰减部,其设置在相邻像素的所述颜色滤光片之间,被构造成具有与所述颜色滤光片的表面高度不同的表面高度,并且使未透过所述颜色滤光片而向设置有该颜色滤光片的像素的所述光电转换部上入射的光衰减。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880033116.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:稳定的SOI FET的可管理衬底效应
- 下一篇:背照式图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的