[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880035669.0 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110785852B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 田村隆博;小野沢勇一;高桥美咲;三塚要;尾崎大辅;兼武昭徳 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体基板，/n所述半导体基板具备：/n二极管区；/n晶体管区；以及/n边界区，其位于所述二极管区与所述晶体管区之间，/n所述边界区包括在所述半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置处从与所述二极管区邻接的端部起向所述晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且/n所述边界区的至少一部分不具有在所述半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，/n所述晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有所述发射区的所述台面部中的最靠近所述边界区的所述台面部的下方不具有所述缺陷区。/n
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