[发明专利]具有暴露的端子区域的树脂封装功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201880044170.6 申请日: 2018-04-30
公开(公告)号: CN110785838B 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: F.莫恩 申请(专利权)人: 日立能源瑞士股份公司;奥迪股份公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/473;H01L25/11
代理公司: 北京市汉坤律师事务所 11602 代理人: 王其文;张涛
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 功率半导体模块(10)包括具有金属化层(18)的衬底(12);接合到衬底(12)的至少一个功率半导体芯片(14);以及部分地封装半导体芯片(14)和衬底5(12)的模制封装(26);其中模制封装(26)包括暴露金属化层(18)的端子区域(38、40)的至少一个窗(36);并且其中在衬底(12)的边界(28)和窗(36)之间的模制封装(26)的边界部分(34)具有在衬底上方的高度,所述高度小于模制封装(26)的中央部分(32)的最大高度。
搜索关键词: 具有 暴露 端子 区域 树脂 封装 功率 半导体 模块
【主权项】:
1.一种功率半导体模块(10),包括:/n具有金属化层(18)的衬底(12);/n接合到所述衬底(12)的至少一个功率半导体芯片(14);/n部分地封装所述半导体芯片(14)和所述衬底(12)的模制封装(26),其中所述模制封装(26)包括暴露所述金属化层(18)的端子区域(38、40)的至少一个窗(36);/n用端部(58)接合到所述端子区域(40)的功率端子(54);/n其中所述模制封装(26)包括中央部分(32),所述中央部分(32)封装所述半导体芯片(14);/n其中在所述衬底(12)的边界(28)和所述窗(36)之间的所述模制封装(26)的边界部分(34)具有在所述衬底(12)上方的高度,所述高度小于所述模制封装(26)的所述中央部分(32)在所述衬底(12)上方的最大高度;/n其中所述功率端子(54)的部分(56)在所述边界部分(34)上方在平行于所述衬底(12)的方向上突出,使得所述部分(56)的在所述衬底(12)上方的垂直高度小于所述模制封装(26)的所述中央部分(32)的所述最大高度。/n
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