[发明专利]具有外延层的半导体晶片有效
| 申请号： | 201880086204.8 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111602226B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | N·维尔纳;C·哈格尔 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 彭丽丹;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种单晶硅半导体晶片，其包括单晶硅衬底晶片和位于所述衬底晶片的正面上的单晶硅层，所述衬底晶片具有晶体取向，其中在所述外延层的表面被分为16个扇区且边缘排除为1mm的情况下，所述半导体晶片的基于正面的平均ZDD为不小于‑30nm/mm |
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| 搜索关键词： | 具有 外延 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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