[发明专利]闪存器件的形成方法有效
| 申请号： | 201911204016.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110993605B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 田伟思;邹荣;张金霜;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/40;H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的形成方法，在本发明提供的闪存器件的形成方法中，通过形成覆盖所述闪存区的所述半导体衬底的保护层，从而避免在后续去除所述逻辑区的所述介质层时，对所述闪存区的所述介质层造成损伤。进一步的，由于所述半导体衬底覆盖有所述介质层，在后续去除所述保护层和剩余的所述介质层的过程中，能够避免对所述半导体衬底造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911204016.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
