[发明专利]一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010554890.6 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799378B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 谷怀民;许文竹 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H10K30/10 | 分类号： | H10K30/10;H10K30/60;H10K71/16;H10K71/60;H10K71/10;H01L31/109;H01L31/18;H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 郑永泉 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及光电探测领域，公开了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，包括衬底、氮化镓薄膜、钙钛矿层、第一金属电极、第二金属电极，还包括卤素基二维材料层；所述衬底上依次为第一金属电极、钙钛矿层、氮化镓薄膜、卤素基二维材料层、第二金属电极；所述的钙钛矿层与氮化镓薄膜形成异质结，所述的卤素基二维材料层与氮化镓薄膜也形成异质结；本发明提供一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，通过构建钙钛矿/GaN/PbI |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 氮化 薄膜 双异质结 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010554890.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
