[发明专利]用于以聚合物涂覆基底的等离子体聚合方法有效
| 申请号： | 202080008122.9 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN113286667B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | M·塞尔库;S·卢利迪 | 申请（专利权）人： | 欧洲等离子公司 |
| 主分类号： | B05D3/14 | 分类号： | B05D3/14;B05D5/08;B05D7/00;B05D1/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 比利时奥*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于以聚合物层涂覆基底的等离子体聚合方法，所述方法包括：在等离子体室内提供待涂覆的基底；向所述等离子体室引入第一聚合物前体流；施加大于零瓦特(W)的水平的功率并将第一聚合物前体转化为第一聚合物前体等离子体；将基底暴露于第一聚合物前体等离子体；向等离子体室引入第二聚合物前体流；施加大于零瓦特(W)的水平的功率并将第二聚合物前体转化为第二聚合物前体等离子体；和将基底暴露于第二聚合物前体等离子体，其中将基底暴露于第一聚合物前体等离子体以在其上形成第一聚合物层，并且将基底暴露于第二聚合物前体等离子体以在其上形成第二聚合物层，其特征在于，在将基底暴露于第一聚合物前体等离子体与将基底暴露于第二聚合物前体等离子体之间，将功率维持在大于零瓦特(W)的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 聚合物 基底 等离子体 聚合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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