[发明专利]氧化镓系半导体及其制造方法有效
| 申请号： | 202110428555.6 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113555419B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 山野飒 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供带隙被充分缩小的氧化镓系半导体及其制造方法。提供一种氧化镓系半导体，具有组成由(Ga |
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| 搜索关键词： | 氧化 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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