[发明专利]具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法有效
| 申请号： | 202111116215.6 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838918B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张金平;肖翔;涂元元;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有载流子浓度增强的超结IGBT器件结构及制作方法，本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，改变了传统超结IGBT中P柱、P型基区和发射极之间的位置关系，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下，漂移区内均发生较强的电导调制效应，器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。同时P型浮空区的引入减小了器件的的台面宽度，进而提高了发射极一侧的载流子浓度，降低了导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 载流子 浓度 增强 igbt 器件 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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