[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210320417.0 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN116940106A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴润平;金泰均;元大中;朴淳秉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜娟娟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括阵列区域和与所述阵列区域相连接的外围区域；于所述阵列区域上设置多个焊垫，相邻所述焊垫之间形成有隔离沟槽；于所述隔离沟槽的侧壁形成待刻路径层。上述半导体结构的制备方法，在形成焊垫之后，于焊垫之间的隔离沟槽侧壁形成待刻路径层，待刻路径层可以与阵列区域中的待刻材料层相接触，因此可以在阵列区域和外围区域形成平整的表面后，再依次去除待刻路径层和待刻材料层；由于外围区域具有平整的表面，因此可以在其表面形成高质量的保护材料层，避免外围区域中的器件或材料层被破坏，从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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