[发明专利]一种离子注入重复性和稳定性的监测方法在审
| 申请号： | 202210328583.5 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN116936324A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 武婧敏;郭志煜;王风旋;杨香;樊中朝;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入重复性和稳定性的监测方法，包括：基于椭偏仪测试离子注入样片的样片参数，构建用于描述所述离子注入样片的光学模型，通过回归分析确定所述光学模型中的模型参数，将所述模型参数与所述样片参数进行拟合，通过拟合结果得到用于监测离子注入重复性和稳定性的光学常数和损伤层厚度。以此快速、方便的测试损伤层厚度和对应的光学参数，从而实时监测离子注入设备的稳定性和均匀性，低成本的对离子注入的稳定性和均匀性进行监测与调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 重复性 稳定性 监测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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