[发明专利]一种基于MRAM的一次性可编程存储器在审
| 申请号： | 202210332881.1 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116935911A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王跃锦;何世坤;于志猛;郑泽杰 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 钱湾湾 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于MRAM的一次性可编程存储器，涉及半导体制造领域，该基于MRAM的一次性可编程存储器包括存储单元、参考单元及比较电路，其中存储单元中包括第一磁性隧道结，并且存储单元中的第一金属柱的等效电阻远小于所述第一磁性隧道结为平行态时的等效电阻，所以存储单元的等效电阻主要由第一磁性隧道结的状态决定，本发明中的存储单元的存储原理和结构与MRAM一致，因此可以利用相同的生产工艺生产MRAM、一次性可编程存储单元及一次性可编程存储器，降低了生产成本，简化了生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mram 一次性 可编程 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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