[发明专利]电阻式内存单元的阻丝成型方法在审
| 申请号： | 202210339227.3 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN116935924A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈达;王炳琨;林家鸿;黄俊尧 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种电阻式内存单元阻丝成型方法，包括：在第一阶段成型，以包括栅极与漏极电压的第一偏压施加多次到电阻式内存单元。当第一阶段成型进行至读取电流达到第一饱和状态，锁存第一饱和状态的读取电流为饱和读取电流，判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值。当饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，执行第二阶段成型，施加第二偏压多次到内存单元，直到电阻式内存单元的读取电流达到第二饱和状态，锁存所述第二饱和状态的所述读取电流为所述饱和读取电流，并判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值，第二偏压为增加栅极电压并且降低漏极电压。在饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，且在饱和读取电流达到目标电流值时，结束此方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 内存 单元 成型 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210339227.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
