[发明专利]一种铁电存储阵列、铁电存储器以及其操作方法在审
| 申请号： | 202210355106.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116935919A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 贾秀峰;李昊;张敏;张恒;许俊豪 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C11/408;G11C11/4094;G11C11/4097 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 张金香 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种铁电存储阵列、铁电存储器以及其操作方法，用于减少SL数量，从而节省了版图面积和LBL上的寄生电容。该铁电存储阵列包括1T1C结构和gain cell；gain cell包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，1T1C结构包括第四晶体管和第一电容；第四晶体管的栅极与字线相连，其源漏极的第一端与第一电容的第一端相连，另一端通过区域位线与第三晶体管的栅极以及第一晶体管的源漏极的第三端相连，第一电容的第二端与板线相连；第一晶体管和第二晶体管的栅级与控制线相连，第一晶体管的源漏极的第四端和第二晶体管的源漏极的第五端通过全局位线相连，第二晶体管的源漏极的第六端与第三晶体管的源漏极的第七端相连，第三晶体管的源漏极的第八端与源线相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 阵列 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司，未经华为技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210355106.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三维道路地图优化方法、装置和电子设备
- 下一篇：显示设备
