[发明专利]在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法在审
| 申请号： | 202210358854.1 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116926677A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴燕庆;王欣;史新航 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/18;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 生长 大面积 性能 空穴 导电 二硒化钨单晶 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210358854.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：添加昆虫蛋白的生骨肉主食冻干及其生产工艺
- 下一篇：一种智能便座的控制方法
