[发明专利]半导体结构版图及半导体结构在审
| 申请号： | 202210359900.X | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936566A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李明浩;张凤琴;尚为兵 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构版图，包括：有源区图形；第一类栅极图形，与有源区图形交叠，且沿第一方向延伸；金属层图形，沿第一方向延伸，金属层图形通过接触孔图形与位于第一类栅极图形两侧的有源区图形接触。在本公开实施例提供的半导体结构版图中第一类栅极图形与金属层图形的延伸方向一致，相较于第一类栅极图形与金属层图形的延伸方向垂直的结构，随着第一类栅极图形在第二方向上的宽度增大第一类栅极图形的存在不会影响金属层图形与有源区图形之间的交叠，进而能够在保证第一类栅极图形尺寸满足要求的情况下，增大连接金属层图形与对应的有源区图形的接触孔图形的长度，提高了采用半导体结构版图形成的半导体结构的可靠性，优化了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 版图 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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