[发明专利]半导体二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202210363432.3 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936603A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;王睿;林敏之;刘磊;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨义 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体二极管，包括n型衬底；位于所述n型衬底之上的n型漂移区；位于所述n型漂移区之上的p型阳极区；位于所述p型阳极区与所述n型漂移区之间且横向间隔设置的若干个n型掺杂区。本发明的半导体二极管具有较大的反向恢复软度，能够降低半导体二极管在反向恢复过程中的电压过冲。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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