[发明专利]IGBT器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210367143.0 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116936357A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;王鹏飞;刘磊;龚轶 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 初春 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供的一种IGBT器件的制造方法，首先，在形成第一沟槽后形成n电荷存储区，通过控制第一沟槽的深度来控制n型电荷存储区的深度，避免n型电荷存储区对后续形成的p型体区产生影响；其次，先形成浮空的p型柱，再形成栅极，避免了形成p型柱时对栅极产生的损伤；再次，n型电荷存储区、p型柱和栅极均通过自对准工艺形成，简化了IGBT器件的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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