[发明专利]外延生长用种子基板及其制造方法、和半导体基板及其制造方法在审
| 申请号： | 202280020112.6 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN116940720A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;久保埜一平 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
目的是获得几乎没有晶体缺陷的高品质且价廉的包含如AlN、Al |
||
| 搜索关键词： | 外延 生长 种子 及其 制造 方法 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社，未经信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202280020112.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
