[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202310472801.7 | 申请日： | 2023-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN116936467A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 饶孟桓;黄麟淯;苏焕杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/417;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 方法包括：提供具有栅极结构、源极/漏极电极、第一蚀刻停止层(ESL)、第一层间介电(ILD)层、第二ESL和第二ILD层的结构。方法包括：形成第一蚀刻掩模；通过第一蚀刻掩模对第二ILD层、第二ESL和第一ILD层实施第一蚀刻以形成第一沟槽；在第一沟槽中沉积第三介电层；形成第二蚀刻掩模；以及通过第二蚀刻掩模对第二ILD层、第二ESL、第一ILD层和第一ESL实施第二蚀刻，从而形成第二沟槽，其中，第二沟槽暴露源极/漏极电极中的一些，并且第三介电层抵抗第二蚀刻。方法还包括：在第二沟槽中沉积金属层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
