[发明专利]太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202310743004.8 | 申请日： | 2023-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN116936673A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 严金梅;刘苗;邵海娇 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人： | 张兴利 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法。该制备方法包括：提供一制绒后的半导体衬底，并在半导体衬底的第一表面形成PN结；在半导体的第二表面依次形成隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层；对第一掺杂多晶硅层的一侧表面进行处理形成掩膜层；第一掺杂多晶硅层包括非金属接触区和金属接触区；将覆盖于非金属接触区的掩膜层去除，露出非金属接触区的表面；对非金属接触区的表面进行腐蚀减薄处理，得到第二掺杂多晶硅层；去除覆盖于金属接触区的掩膜层，并在PN结的一侧形成正面钝化层，在第二掺杂多晶硅层的一侧形成背面钝化层；贯穿背面钝化层形成背面电极，并贯穿正面钝化层形成正面电极，制得太阳能电池。该制备方法提升电池片对长波的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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