[发明专利]一种太阳能电池掩膜结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202310759463.5 | 申请日： | 2023-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN116936674A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张博;倪玉凤 | 申请（专利权）人： | 青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 孔凡梅 |
| 地址： | 810007 青海省*** | 国省代码： | 青海;63 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池掩膜结构及其制作方法。制作方法包括：将硅片插入石墨舟，并放入管式等离子增强型化学气相淀积设备中，进行第一次升温；将管式等离子增强型化学气相淀积设备抽真空，开始沉积；分3段沉积硅片，得到膜层A、膜层B和膜层C；得到太阳能电池掩膜结构。本发明通过沉积多层掩膜，利用氧化硅为低层，解决了氮化硅清洗难的问题，并避免了氮化硅破坏隧穿氧化层导致钝化下降的可能性。而氧化硅本身密度不高，容易被酸腐蚀失去掩膜阻挡效果，本申请通过氮氧化硅作为顶层膜层，共同构成本申请的太阳能电池掩膜，解决了以上技术题，保障掩膜需求，且使用效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 膜结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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