[发明专利]一种氧化物颗粒弥散分布的银氧化锡电接触材料及其制备方法在审
申请号: | 202310812556.X | 申请日: | 2023-07-04 |
公开(公告)号: | CN116926365A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 谢平云;陈潺;孔欣;刘占中;万岱;宋林云;柏小平;刘映飞;林万焕 | 申请(专利权)人: | 浙江福达合金材料科技有限公司 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;B22F9/20;B22F3/16;B22F1/18;C22C5/06;C22C32/00;H01H1/0237;H01H11/04 |
代理公司: | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人: | 朱海晓 |
地址: | 325000 浙江省温州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种氧化物颗粒弥散分布的银氧化锡电接触材料及其制备方法,本发明创新地通过化学沉积法制备银氧化锡电接触材料,通过制备锡酸银、碳酸银混合沉积粉,经清洗、烘干、烧结制成银氧化锡混合粉,使氧化锡颗粒均匀地分布在银基体中,改善了传统工艺的氧化物颗粒聚集、贫氧化物区等不良缺陷,从而使制得的银氧化锡触头具有颗粒细小均匀、无偏析,具有良好电性能;通过二次沉积,一部分的银存在于锡酸银中,另一部分的银存在于碳酸银中,经锡酸银烧结得到的银单质会包覆在其烧结得到的氧化锡表面并形成银包层,从而改善了氧化锡相之间的结合力,避免了脆性相之间的直接接触,使最终制得的银氧化锡电接触材料具备更好的电导性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化物 颗粒 弥散 分布 氧化 接触 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江福达合金材料科技有限公司,未经浙江福达合金材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310812556.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种全光纤拉曼激光器
- 下一篇:一类耐热热塑性聚酯组合物及其制备方法