[发明专利]一种沟道处理方法及存储介质在审
| 申请号： | 202310826153.0 | 申请日： | 2023-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN116936458A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨欣;郭振强;黄鹏;孙少俊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H10B10/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种沟道处理方法及存储介质；于紧前的沟槽成型步骤形成基础拓扑即沟槽隔离结构（111），于内缩PB（Pull Back）的沟槽上进一步构造处置层的介质结构，即第五膜结构（050）；进而可结合沟槽隔离结构（111）的物理特征，例如浅沟槽隔离结构STI（Shallow Trench Isolation），生成功能单元，又如存储介质；其中，第五膜结构（050）可采用去耦合等离子氮化工艺DPN（Decoupled Plasma Nitridation）来构造，可有效缓冲高宽比制程HARP（High Ratio Process）在沟道产生的应力，亦可确保特定载流子的迁移率；其方法可有效改善静态随机存储器SRAM（Static Random Access Memory）的失配（Mismatch）特性，提升器件的一致性（Uniformity）、减少漏电并提升产品良率；其方法及产品的制备无须添置步骤，可在原制程上灵活升级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 处理 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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