[发明专利]一种中空的磷掺杂碳材料的气相原位合成方法和应用在审
| 申请号： | 202310829951.9 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936263A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王康丽;蔡鹏;蒋凯;苏瑾昭 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/44;C01B32/05 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于混合离子电容器领域，公开了一种中空的磷掺杂碳材料的气相原位合成方法和应用，合成方法具体包括以下步骤：(1)准备二氧化硅粉末并装入反应器；(2)将液态的无氧磷源和液态的无氧碳源混合均匀，利用载气将混合物鼓入反应器，进行气相合成反应得到产物；(3)刻蚀二氧化硅即可得到中空的磷掺杂碳材料。本发明通过使用二氧化硅粉末作为模板，利用气相原位合成配合刻蚀处理得到中空的磷掺杂碳材料，能够快速、高效的形成中空碳结构，相应得到的中空的磷掺杂碳材料，在材料导电性、放电容量、离子传输动力学、电容特性等方面均有明显提升，尤其可作为混合碱金属离子负极应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 掺杂 材料 原位 合成 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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