[发明专利]一种半导体激光元件在审
| 申请号： | 202310838503.5 | 申请日： | 2023-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN116937329A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡鑫;王星河;陈三喜;季徐芳;蒙磊;刘紫涵;胡志勇;陈婉君;请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/065;G02B5/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 237161 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光元件从下至上依次设置衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层；仅在所述上限制层与上波导层之间设置有等离激元子杂化层；或者，仅在所述下限制层与下波导层之间设置有等离激元子杂化层；或者，同时在所述上限制层与上波导层之间、所述下限制层与下波导层之间设置有等离激元子杂化层；所述等离激元子杂化层用于与其相邻的层产生作用，以产生非平衡的高激发电子和空穴。提升激光元件有源层的辐射复合效率，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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