[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202310857416.4 | 申请日： | 2023-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN116936616A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱月强;孙浩 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 幸盼 |
| 地址： | 519085 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上；半导体层，设置在所述缓冲层上；栅极电极，设置在所述半导体层上；钝化层，具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的开口面积大于底面积，所述第二凹槽的开口面积大于底面积；源极电极，设置在所述第一凹槽中；漏极电极，设置在所述第二凹槽中。通过采用开口面积大于底面积的具有倾斜侧壁的沟槽结构设置源极电极和漏极电极，增大了电极金属层与钝化层的接触面积，能够明显缓解应力差异，从而有效稳定半导体器件的导通电阻，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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