[发明专利]一款能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路在审
| 申请号： | 202310872529.1 | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116937523A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 韦明桥;杨红;何时鸿 | 申请（专利权）人： | 深圳市奋达科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H9/02;H02M1/36;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 叶玉凤 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路，包括升压电路、MOS管瞬态电压抑制电路、开关电路、工作电路和RC缓起动电路。其中，工作电路的一端电性连接于电池，另一端电性连接于MOS管瞬态电压抑制电路；该MOS管瞬态电压抑制电路电性连接于该升压电路，该升压电路输出端用于连接至负载；常态下，该工作电路、MOS管瞬态电压抑制电路、升压电路均不工作，在开关电路的触发控制下通电从而工作。然而在工作电路和MOS管瞬态电压抑制电路接通的瞬间，会有较大的浪涌电流，因此通过增设RC缓起动电路，可以有效的抑制掉浪涌电流和浪涌电压，从而保护升压芯片和MOS管。 | ||
| 搜索关键词： | 一款 抑制 启动 瞬间 浪涌 电流 损坏 升压 芯片 mos 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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