[发明专利]一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路在审
| 申请号： | 202310883060.1 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116936456A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉 | 申请（专利权）人： | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/77;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739 | 代理人： | 宋珊珊 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路。制备方法包括形成孤岛隔离层和上方器件层的方法；形成孤岛隔离层和上方器件层的方法具体包括：采用晶圆键合方法在下层的器件层之上形成孤岛隔离层、以及位于所述孤岛隔离层之上自下而上循环设置的硅锗层和硅层，且顶层为硅锗层；对孤岛隔离层之上的硅锗层和硅层进行加工，在所述孤岛隔离层之上形成GAA纳米片晶体管；在GAA纳米片晶体管的基础之上形成全环绕栅极晶体管；形成上方器件层全环绕栅极晶体管以外的结构。本申请实施例解决了传统的芯片制备工艺中的退火光会对已经制备出的部分的加热造成损伤的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维集成电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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