[发明专利]一种提升SiC MOSFET器件崩溃电压的方法在审
| 申请号： | 202310910585.X | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116936360A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林张鸿;冯小涛;赵炎;张淞;何泽涛;林书勋;黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L25/07 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 尚兴明 |
| 地址： | 610299 四川省成都市中国（四川）自由*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提升SiC MOSFET器件崩溃电压的方法，属于半导体技术领域，包括：将多个MOSFET管并联，将SiC MOSFET器件的沟道区域由现有垂直的排列结构，重新设计成垂直和水平结构共存；将所述MOSFET管的栅极设计为方形矩阵列式。该方法提升MOSFET器件沟道的面积，增加器件栅极开关可控的沟道面积再并联多个MOSFET，进而提升整体并联后的等校晶体管的崩溃电压，该方法形成的SiC MOSFET器件有别于一般传统硅基MOSFET，碳化硅基MOSFET器件单位面积的功率密度更高，适用于1200V～1500V高压器件开关。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 sic mosfet 器件 崩溃 电压 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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