[发明专利]一种LED芯片制备方法、LED芯片在审
申请号: | 202310915470.X | 申请日: | 2023-07-25 |
公开(公告)号: | CN116936694A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/42 |
代理公司: | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人: | 万建 |
地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一LED芯片制备方法、LED芯片,提供一包含电流阻挡层的半成品芯片,利用电子束蒸镀方式在电流阻挡层上制备ITO膜层,将半成品芯片浸入酸性溶液中,以使酸性溶液透过ITO膜层对电流阻挡层进行侵蚀,采用电子束蒸镀的方式制备ITO膜层的方式,此方式制备的ITO膜层相较磁控溅射获取的膜层在未退火之前更加疏松,正因为ITO膜层在未退火之前致密性较差,因此可依靠未退火ITO膜层疏松特性,在电流阻挡层上方镀ITO膜层,使其浸泡在HF溶液中,通过疏松膜层的扩散作用,HF酸渗透ITO膜层刻蚀底部电流阻挡层,刻蚀效果为多孔结构,从而达到电流阻挡层层表面的粗化目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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