[发明专利]铁电存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202310920192.7 | 申请日： | 2023-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN116940123A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 丁甲;郭秋生;张继伟;胡林辉 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10B51/30 | 分类号： | H10B51/30;H10B51/40;H10B51/50 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 赵娟娟 |
| 地址： | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种铁电存储器及其制造方法。本申请通过在存储单元图形化后，沉积高拉应力的介质膜层再进行高温热处理，高拉应力的介质膜层有助于存储单元的铁电存储层中的铁电材料内具有铁电性能的正交相的产生，从而增强铁电存储器的铁电性能，且在存储单元的各材料层沉积后无需进行热处理，以提升铁电器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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