[发明专利]一种基于结构介电常数近零薄膜的可饱和吸收体器件、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202310939899.2 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116937312A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王梦霞;蒋行;赵元安;马浩;邵建达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S3/1118 | 分类号： | H01S3/1118;H01S3/067 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种基于结构介电常数近零薄膜的可饱和吸收体、制备方法及脉冲激光器方面的应用，属于激光技术及非线性光学技术领域。所述可饱和吸收体器件包括衬底、微结构阵列层和沉积在所述微结构陈列层上的结构ENZ薄膜。将结构ENZ可饱和吸收体放置在连续或长脉冲运转的激光谐振腔内，可以实现短脉冲激光输出。本发明提供的结构ENZ可饱和吸收体，具有在0°激光辐照下依然可以产生强的饱和吸收特性，可有效利用ENZ材料的ENZ效应引起的强的非线性光学性能；具有较高的损伤阈值，能够用于高功率激光器的研制；成本低，可大面积制备，便于集成，有利于产业化生产。本发明还提供了一种基于结构ENZ薄膜的可饱和吸收体的制备方法和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 介电常数 薄膜 饱和 吸收体 器件 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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