[发明专利]一种量子比特电极及其设计方法、量子比特器件在审
| 申请号： | 202310968405.3 | 申请日： | 2023-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN116936614A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;张毅文;孔真真 | 申请（专利权）人： | 合肥国家实验室;北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/66;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 林哲生 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种量子比特电极及其设计方法、量子比特器件，该量子比特电极的设计方法通过外延技术生长硅基量子比特外延结构，并对表面进行综合形貌表征，设计一种随不同材料优化的量子比特电极结构与形状，并通过量子比特电极形状与分布进一步改善量子比特器件的总体应力情况，改善量子比特器件温变应变涨落，最终得到一种全新的量子比特电极结构，并利用优化的量子比特电极结构制备硅基量子比特器件，从而为大规模比特扩展提供更为稳定的量子比特器件单元阵列，即从微观上改善量子比特器件的应力涨落，这将对量子比特的操纵有着巨大的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 比特 电极 及其 设计 方法 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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