[发明专利]一种多电容堆叠结构及多电容堆叠方法在审
| 申请号： | 202311003031.8 | 申请日： | 2023-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN116936564A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王锐;刘强;李建军;孙孟英 | 申请（专利权）人： | 广芯微电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市相城区经济技术开发区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多电容堆叠结构及多电容堆叠方法，应用于半导体制备领域，该多电容堆叠结构包括：衬底中隔离结构的上侧制备的双多晶电容、以及在双多晶电容背向衬底的一侧堆叠形成的金属氧化物电容和金属绝缘体电容；金属氧化物电容的上极板和金属绝缘体电容的上极板与双多晶电容的上极板导电连接；金属氧化物电容的下极板和金属绝缘体电容的下极板与双多晶电容的下极板导电连接。本发明通过在衬底中隔离结构的上侧，制备双多晶电容，并在双多晶电容背向衬底的一侧制备金属氧化物电容和金属绝缘体电容，并将制备的双多晶电容、金属氧化物电容和金属绝缘体电容并联连接，形成多电容堆叠结构，提高了单位电容密度，降低了制备电容占据芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 堆叠 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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