[发明专利]电池正背面同时生长不同厚度多晶硅的方法和背接触电池在审
| 申请号： | 202311183441.5 | 申请日： | 2023-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116936684A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林楷睿 | 申请（专利权）人： | 金阳（泉州）新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463 | 代理人： | 赵亚楠 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于背接触电池制备技术领域，具体涉及电池正背面同时生长不同厚度多晶硅的方法和背接触电池，方法包括：S1、提供背面抛光正面制绒的硅片；S2、控制硅片成对间隔设置且正面面对面设置，成对硅片的正面之间的间距为S1，前一成对硅片的背面与相邻的后一成对硅片的背面之间的间距为S2；在硅片的正面和背面同时形成隧穿氧化层、同时形成本征多晶硅，在正面形成第一本征多晶硅且厚度为L1，在背面形成厚度L2第二本征多晶硅，[S1/(2×S2)]+0.1≤L1/L2≤[S1/(2×S2)]+0.3；S3、采用扩散退火工艺掺杂；S4、清洗。本发明能够实现双面不同厚度多晶硅的同时生长，同时提高导电性和电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 背面 同时 生长 不同 厚度 多晶 方法 接触 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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