[发明专利]半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 202311188426.X | 申请日： | 2023-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936475A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 朱红波;张哲;高向阳 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制备方法，包括步骤：制备得到半导体结构，所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内，且显露于基底表面的有源区，以及位于基底上表面或基底内的栅极；于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金属前驱物材料层；进行预设时长的热烘，以于有源区和金属前驱物材料层的界面处以及栅极和金属前驱物材料层的界面处形成初始欧姆接触层；去除未反应的金属前驱物材料；进行热退火，以使初始欧姆接触层成为低阻值欧姆接触层。相较于现有技术，本发明不仅流程极大简化，可以显著降低生产成本，而且热处理温度显著降低，有助于减少乃至避免器件损伤及减少金属的横向扩散，从而提高生产良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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