[发明专利]外延机台温度校正方法在审
申请号: | 202311198184.2 | 申请日: | 2023-09-18 |
公开(公告)号: | CN116936423A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 杨洪军;苏小鹏;杨鹏;付志强 | 申请(专利权)人: | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人: | 王敏生 |
地址: | 510700 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请公开了一种外延机台温度校正方法,该外延机台温度校正方法包括提供若干晶圆,并在若干晶圆上形成外延层;从若干晶圆中选取部分晶圆作为第一监控晶圆,并对每个第一监控晶圆依次进行第一离子注入和热退火处理,每个第一监控晶圆的热退火温度不同;根据每个第一监控晶圆的热退火温度和热波值生成标准曲线;从剩余晶圆中选取一晶圆作为第二监控晶圆,并对第二监控晶圆依次进行第二离子注入和预设温度的热退火处理;基于标准曲线和第二监控晶圆的热波值对外延机台的温度进行校正。本方案可以降低外延机台的温度监控成本。 | ||
搜索关键词: | 外延 机台 温度 校正 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于粤芯半导体技术股份有限公司,未经粤芯半导体技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202311198184.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造